Gamintojo produkto numeris:
IRF7389TRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7389TRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
4590 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12823056
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7389TRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
N and P-Channel
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
-
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
650pF @ 25V
Galia - Maks.
2.5W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF738
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF7389PBFDKR
*IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF-DG
SP001554234
IRF7389PBFTR
IRF7389TRPBFTR-DG
IRF7389PBFCT
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MCB40P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
HCT802
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7907PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO