Gamintojo produkto numeris:

IRF7420TRPBF-1

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRF7420TRPBF-1-DG

Aprašymas:

MOSFET

Išsami aprašymas:

P-Channel 12 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12989094

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRF7420TRPBF-1 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Infineon Technologies

Pakuotė

-

Serijos

HEXFET®

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

P-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

12 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

11.5A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

1.8V, 4.5V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

14mOhm @ 11.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

900mV @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

38 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±8V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

3529 pF @ 10 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.5W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

8-SO

Pakuotė / dėklas

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

SP001575470

448-IRF7420TRPBF-1

Standartinis paketas

1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

infineon-technologies

IMT65R022M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

ISC240P06LMATMA1

TRENCH 40<-<100V

rohm-semi

BSS670T116

NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG

taiwan-semiconductor

BSS138 RFG

50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW