Gamintojo produkto numeris:
IRF7469
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7469-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12805575
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7469 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF7469
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RS6G120BGTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2094
DiGi DALIES NUMERIS
RS6G120BGTB1-DG
VISO KAINA
1.48
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
RS6G100BGTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2423
DiGi DALIES NUMERIS
RS6G100BGTB1-DG
VISO KAINA
0.70
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFB7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
ISP25DP06LMSATMA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
IRF7523D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
