Gamintojo produkto numeris:
IRF7495PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7495PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12806800
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7495PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Discontinued at Digi-Key
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1530 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
62-0093PBF-DG
62-0093PBF
*IRF7495PBF
SP001577542
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFH7107TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
SPP11N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
IRF7456PBF
MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
