Gamintojo produkto numeris:
IRF7707
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7707-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventorius:
12806313
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7707 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2361 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSSOP
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
100
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS17N20DTRRP
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
SPI08N80C3
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
IRF8113TRPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
