Gamintojo produkto numeris:
IRF7726
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7726-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventorius:
12804624
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7726 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2204 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.79W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
Micro8™
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF7726
Standartinis paketas
80
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB100N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPI139N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
IRF7811A
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
