Gamintojo produkto numeris:
IRF7834PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7834PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12803378
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7834PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Discontinued at Digi-Key
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.25V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3710 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001565546
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPC60R950C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRFH7787TRPBF
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
IRFP3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
