Gamintojo produkto numeris:
IRF8010PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF8010PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
1428 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12803549
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF8010PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3830 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
260W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRF8010
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-IRF8010PBFINF
*IRF8010PBF
SP001575444
INFIRFIRF8010PBF
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF6215L-103
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
IRFR7446TRPBF
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
