Gamintojo produkto numeris:
IRF8306MTRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF8306MTRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventorius:
12802897
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF8306MTRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
23A (Ta), 140A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4110 pF @ 15 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Body)
Galios išsklaidymas (Max)
2.1W (Ta), 75W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MX
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MX
Pagrindinio produkto numeris
IRF8306
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
INFINFIRF8306MTRPBF
SP001572242
2156-IRF8306MTRPBF
2156-IRF8306MTRPBF-ITTR-DG
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3