Gamintojo produkto numeris:
IRF8313PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF8313PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12805886
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF8313PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Discontinued at Digi-Key
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.7A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
90nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
760pF @ 15V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF8313
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001570694
INFINFIRF8313PBF
2156-IRF8313PBF-IT
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMN3015LSD-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
5165
DiGi DALIES NUMERIS
DMN3015LSD-13-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF9953
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
IRFHS9351TR2PBF
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
IRF6723M2DTR1P
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA