Gamintojo produkto numeris:
IRF9953TR
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF9953TR-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12806291
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF9953TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.3A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
190pF @ 15V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF995
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7555TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
IRF9956TR
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
IRF7316TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
