Gamintojo produkto numeris:
IRFB3006PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFB3006PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
3175 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12805859
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFB3006PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
195A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8970 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRFB3006
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001570606
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRL5602STRRPBF
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRF7492TR
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
IRFB17N20D
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB