Gamintojo produkto numeris:
IRFB3207PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFB3207PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12803146
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFB3207PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
75 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
170A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7600 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
330W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRFB3207
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001572410
IFEINFIRFB3207PBF
2156-IRFB3207PBF
*IRFB3207PBF
Standartinis paketas
100
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MIC94050YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
IRFU9N20D
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
