Gamintojo produkto numeris:
IRFBA90N20DPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFBA90N20DPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Inventorius:
12805085
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFBA90N20DPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
98A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6080 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
650W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
SUPER-220™ (TO-273AA)
Pakuotė / dėklas
TO-273AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001551776
*IRFBA90N20DPBF
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STW75NF20
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
STW75NF20-DG
VISO KAINA
2.14
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPB100N04S204ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IRL1004STRL
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
