Gamintojo produkto numeris:
IRFH6200TRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFH6200TRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventorius:
3492 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12806154
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFH6200TRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
49A (Ta), 100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.1V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10890 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PQFN (5x6)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
IRFH6200
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRFH6200TRPBF-DG
IRFH6200TRPBFTR
SP001575628
IRFH6200TRPBFCT
IRFH6200TRPBFDKR
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIR404DP-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
28137
DiGi DALIES NUMERIS
SIR404DP-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.74
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
