Gamintojo produkto numeris:
IRFI4227PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFI4227PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventorius:
6294 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12805157
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFI4227PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
26A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
46W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB Full-Pak
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
IRFI4227
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001564096
448-IRFI4227PBF
IRFI4227PBF-DG
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7807D2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPD950P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
