Gamintojo produkto numeris:
IRFR9014N
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFR9014N-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 5.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventorius:
13064069
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFR9014N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
270 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IRFR9014
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFR9014TRLPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2640
DiGi DALIES NUMERIS
IRFR9014TRLPBF-DG
VISO KAINA
0.52
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
IRFR9014PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1675
DiGi DALIES NUMERIS
IRFR9014PBF-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IRF7805ZPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
IRFS4321PBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
