Gamintojo produkto numeris:
IRFS23N20DTRRP
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFS23N20DTRRP-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventorius:
12819709
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
ncom
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFS23N20DTRRP Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Discontinued at Digi-Key
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
24A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1960 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001565068
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RCJ200N20TL
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
976
DiGi DALIES NUMERIS
RCJ200N20TL-DG
VISO KAINA
1.04
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220