IRFSL4229PBF
Gamintojo produkto numeris:

IRFSL4229PBF

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRFSL4229PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262

Inventorius:

12805048
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRFSL4229PBF Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
45A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4560 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
330W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SP001567750
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
infineon-technologies

IRF9328TRPBF

MOSFET P-CH 30V 12A 8SO

infineon-technologies

IRF9Z24NLPBF

MOSFET P-CH 55V 12A TO262

infineon-technologies

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO