Gamintojo produkto numeris:
IRFU120Z
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFU120Z-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventorius:
13064054
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFU120Z Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
310 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK (TO-251AA)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Duomenų lapas ir dokumentai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFU120Z
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFU120PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1045
DiGi DALIES NUMERIS
IRFU120PBF-DG
VISO KAINA
0.36
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STU6NF10
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
3000
DiGi DALIES NUMERIS
STU6NF10-DG
VISO KAINA
0.32
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IRFH5215TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
IPZA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
