Gamintojo produkto numeris:
IRL2203NL
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRL2203NL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262
Inventorius:
12806032
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRL2203NL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
116A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3290 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.8W (Ta), 180W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRL2203NL
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
IPS70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
IRLR3410TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
