Gamintojo produkto numeris:
IRL3502S
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRL3502S-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventorius:
12806823
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRL3502S Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
110A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 7V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
140W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRL3502S
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF6722MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
SPP03N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3
IRF6618TR1
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
