Gamintojo produkto numeris:
IRL3714ZLPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRL3714ZLPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-262
Inventorius:
12807845
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRL3714ZLPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
36A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.55V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
550 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Dizaino ištekliai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRL3714ZLPBF
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPI65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
