Gamintojo produkto numeris:
IRL40B209
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRL40B209-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12813059
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRL40B209 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®, StrongIRFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
195A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
270 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
15140 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRL40B209
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001576458
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFB7430PBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
250
DiGi DALIES NUMERIS
IRFB7430PBF-DG
VISO KAINA
1.34
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
CSD18536KCS
GAMINTOJAS
Texas Instruments
PRIEINAMAS KIEKIS
122
DiGi DALIES NUMERIS
CSD18536KCS-DG
VISO KAINA
2.12
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPI50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
IPB65R225C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
IRF7811APBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
