Gamintojo produkto numeris:
IRL8114PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRL8114PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12806208
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRL8114PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.25V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2660 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
115W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRL8114
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001550392
64-0104PBF-DG
64-0104PBF
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPP042N03LGXKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
238
DiGi DALIES NUMERIS
IPP042N03LGXKSA1-DG
VISO KAINA
0.49
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRFR6215TRL
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRFB7446GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB