Gamintojo produkto numeris:
IRLB4030PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRLB4030PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
13619 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12806388
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRLB4030PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
180A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11360 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
370W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRLB4030
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRLB4030PBF-DG
448-IRLB4030PBF
SP001552594
Standartinis paketas
100
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRL1404ZLPBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
IRL2910STRL
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
IRF40R207
MOSFET N-CH 40V 56A TO252