IRLU3714ZPBF

Gamintojo produkto numeris:

IRLU3714ZPBF

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRLU3714ZPBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK

Išsami aprašymas:

N-Channel 20 V 37A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12815743

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRLU3714ZPBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Infineon Technologies

Pakuotė

-

Serijos

HEXFET®

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

20 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

37A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.55V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

7.1 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

560 pF @ 10 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

35W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

IPAK

Pakuotė / dėklas

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

IRLU3714ZPBF-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

*IRLU3714ZPBF

SP001553004

Standartinis paketas

75

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

microchip-technology

DN3135N8-G

MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA

infineon-technologies

IPD60R950C6

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

texas-instruments

CSD16401Q5

MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON

infineon-technologies

IRFM460

MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA