ISC012N04LM6ATMA1
Gamintojo produkto numeris:

ISC012N04LM6ATMA1

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

ISC012N04LM6ATMA1-DG

Aprašymas:

TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventorius:

11650 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12965327
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

ISC012N04LM6ATMA1 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™ 6
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
37A (Ta), 238A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4600 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TDSON-8 FL
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
ISC012N

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SP005559102
448-ISC012N04LM6ATMA1DKR
448-ISC012N04LM6ATMA1TR
448-ISC012N04LM6ATMA1CT
Standartinis paketas
5,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
panjit

PJC7404_R1_00001

SOT-323, MOSFET

infineon-technologies

ISZ0702NLSATMA1

MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON

vishay-siliconix

SI3454CDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP