Gamintojo produkto numeris:
SI4420DYTR
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
SI4420DYTR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12806510
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4420DYTR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2240 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFZ46ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRL1404SPBF
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
SPB03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
