Gamintojo produkto numeris:
SPB18P06P
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
SPB18P06P-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Inventorius:
12816252
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SPB18P06P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
81.1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SPB18P
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SPB18P06PT
2156-SPB18P06P-ITTR
INFINFSPB18P06P
SP000012329
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SPB18P06PGATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2030
DiGi DALIES NUMERIS
SPB18P06PGATMA1-DG
VISO KAINA
0.44
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRF7453
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7780MTRPBF
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
