Gamintojo produkto numeris:
SPP10N10L
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
SPP10N10L-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventorius:
12807604
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SPP10N10L Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
154mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 21µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
444 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-3-1
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
SPP10N
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP000013849
SPP10N10LX
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRL3715
MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
SPD26N06S2L-35
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IRL5602STRLPBF
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK