Gamintojo produkto numeris:
SPU11N10
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
SPU11N10-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Inventorius:
12808080
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SPU11N10 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 21µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
P-TO251-3-1
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
SPU11N
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SPU11N10X
SP000013848
Standartinis paketas
1,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STU6NF10
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
3000
DiGi DALIES NUMERIS
STU6NF10-DG
VISO KAINA
0.32
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
SPP100N04S2-04
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
IRL1004STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
