IXFH110N10P
Gamintojo produkto numeris:

IXFH110N10P

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXFH110N10P-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventorius:

12914947
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXFH110N10P Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
110A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3550 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
480W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AD (IXFH)
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IXFH110

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
30

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
littelfuse

VMO650-01F

MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB

vishay-siliconix

SI7738DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

littelfuse

IXTA44P15T

MOSFET P-CH 150V 44A TO263

vishay-siliconix

SI2316BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3