Gamintojo produkto numeris:
IXFH80N65X2-4
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFH80N65X2-4-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventorius:
12821873
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFH80N65X2-4 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
38mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8300 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
890W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247-4L
Pakuotė / dėklas
TO-247-4
Pagrindinio produkto numeris
IXFH80
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFH80N65X2-4
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPZA60R037P7XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
240
DiGi DALIES NUMERIS
IPZA60R037P7XKSA1-DG
VISO KAINA
6.39
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STW69N65M5-4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
395
DiGi DALIES NUMERIS
STW69N65M5-4-DG
VISO KAINA
7.47
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN27N80
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
IXTH7P50
MOSFET P-CH 500V 7A TO247
IXFP76N15T2
MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
