Gamintojo produkto numeris:
IXFK180N25T
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFK180N25T-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventorius:
576 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821340
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFK180N25T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Trench
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
180A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
345 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
28000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1390W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-264AA (IXFK)
Pakuotė / dėklas
TO-264-3, TO-264AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFK180
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTM5N100
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
IXFP56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
IXFX12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3
