Gamintojo produkto numeris:
IXFK80N50P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFK80N50P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 80A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventorius:
1077 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821816
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFK80N50P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
197 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
12700 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1040W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-264AA (IXFK)
Pakuotė / dėklas
TO-264-3, TO-264AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFK80
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
IXTY26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
IXFP8N50PM
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
