Gamintojo produkto numeris:
IXFN100N50Q3
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN100N50Q3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 82A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
9 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821189
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN100N50Q3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Q3 Class
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
82A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6.5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
13800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
960W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN100
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFN100N50Q3
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT32N100XHV
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
IXTH260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO247
IXFH50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
