Gamintojo produkto numeris:
IXFN100N65X2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN100N65X2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
16 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821060
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN100N65X2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
78A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
595W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN100
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
IXTH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
IXTP4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
