Gamintojo produkto numeris:
IXFN110N60P3
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN110N60P3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
15 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12819644
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN110N60P3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar3™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
245 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
18000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1500W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN110
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
625715
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFC40N30Q
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
IXTR90P20P
MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
IXTA08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
