Gamintojo produkto numeris:
IXFN120N20
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN120N20-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12819616
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN120N20 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
600W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN120
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IXFN120N20-NDR
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFN210N20P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN210N20P-DG
VISO KAINA
33.70
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTX600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
IXTA180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
IXTH102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO247
