Gamintojo produkto numeris:
IXFN170N30P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN170N30P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 300 V 138A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
86 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821094
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN170N30P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
300 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
138A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
258 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
20000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
890W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN170
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT50N85XHV
MOSFET N-CH 850V 50A TO268
IXFE44N50QD3
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXFR24N90Q
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
