Gamintojo produkto numeris:
IXFN180N20
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN180N20-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12819922
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN180N20 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
180A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
660 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
22000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
700W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN180
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IXFN180N20-NDR
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFN210N20P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN210N20P-DG
VISO KAINA
33.70
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFK32N60
MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA
IXKH30N60C5
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
IXTH16P60P
MOSFET P-CH 600V 16A TO247