Gamintojo produkto numeris:
IXFN180N25T
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN180N25T-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 168A (Tc) 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
85 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12819816
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN180N25T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Trench
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
168A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
345 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
28000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
900W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN180
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
IXFN100N25
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
IXTH96N25T
MOSFET N-CH 250V 96A TO247
