Gamintojo produkto numeris:
IXFN20N120P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN20N120P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12820316
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
3NiP
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN20N120P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
570mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
193 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
595W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN20
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFH1799
MOSFET N-CH TO-247AD
IXFX120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
IXFA26N30X3
MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA
