Gamintojo produkto numeris:
IXFN210N30P3
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN210N30P3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 300 V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
2 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821931
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN210N30P3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar3™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
300 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
192A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
268 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
16200 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1500W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN210
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFN210N30P3
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT20N80P
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
IXFH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
IXTP1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
