Gamintojo produkto numeris:
IXFN24N100
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN24N100-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12820301
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN24N100 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
24A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
267 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8700 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
568W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN24
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IXFN24N100-NDR
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFN32N100P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN32N100P-DG
VISO KAINA
26.21
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
APT22F100J
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
APT22F100J-DG
VISO KAINA
34.58
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
IXTH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
