Gamintojo produkto numeris:
IXFN26N90
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN26N90-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 900 V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12820003
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN26N90 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
900 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
26A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
600W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN26
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IXFN26N90-NDR
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFN40N90P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN40N90P-DG
VISO KAINA
29.98
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTH2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
IXFN240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
