Gamintojo produkto numeris:
IXFN56N90P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN56N90P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 900 V 56A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
78 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821744
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN56N90P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
900 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
56A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
135mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6.5V @ 3mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
375 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1000W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN56
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXKP10N60C5
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
IXTP4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
IXTA02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263