Gamintojo produkto numeris:
IXFN70N120SK
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN70N120SK-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12820846
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN70N120SK Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
68A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
20V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 15mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
161 nC @ 20 V
VGS (Max)
+20V, -5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN70
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO252
IXTN120N25
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
IXTV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
