Gamintojo produkto numeris:
IXFP10N80P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFP10N80P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
242 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12819454
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
qUmk
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFP10N80P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXFP10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTK82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO264
IXFH26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
IXFA6N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
